낸드플래시 반도체 업체들의 적층 경쟁으로 올해'200단' 낸드 시대가 열릴 전망이다. 낸드 제조에는 기본 저장 단위인 '셀'을 수직으로 높이 쌓는 기술이 성패를 좌우하는만큼 메모리 반도체 업체들의 치열한 싸움이 예상된다.
22일 업계에 따르면 삼성전자, 마이크론이 연내에200단 이상의 낸드를 양산한다는 관측이 나오고 있다.
낸드는 데이터를 저장할 수 있는 메모리 반도체 중 하나다. 전원을 끄면 데이터가 사라지는 D램과 달리 낸드플래시는 전원을 꺼도 데이터를 반영구적으로 저장할 수 있다.SSD,SD카드,USB등에 활용된다.
SK하이닉스가 개발한176단4D낸드 기반512GbTLC[사진=SK하이닉스 ]
낸드는 셀을 얼마냐 높이 쌓느냐에 따라 좁은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 있기 때문에 적층 단수가 중요한 반도체다.
마이크론은 지난해 삼성전자를 제치고176단 낸드를 가장 먼저 양산했는데200단 고지는 어느 기업이 먼저 넘어설지 주목된다.
삼성전자는 1분기에176단, 연말에200단 이상의 낸드플래시를 양산할 전망이다. 삼성전자는128단까지 싱글 스택으로 낸드플래시를 양산했지만176단부터는 더블 스택을 적용할 예정이다.
낸드 적층 기술은 가장 아래에 있는 셀과 맨 위층에 있는 셀을 하나의 묶음(구멍 1개)으로 만든 싱글 스택과 묶음 두 개를 하나로 합친 더블 스택으로 나뉜다. 셀을 묶는 구멍을 적게 뚫을 수록 데이터 손실이 적고 전송 속도가 빨라 더블 스택 대비 싱글 스택이 더 우수한 기술로 평가된다.
그러나 싱글 스택은 쌓아 올릴 수 있는 단수에 한계가 있다.100단 이상의 낸드에 싱글스택을 적용한 업체는 삼성전자가 유일했다. 삼성전자도 단수를 높이는 과정에서 더블 스택을 적용한다는 전략이다.
대만 디지타임스는 "삼성전자가176단 낸드 제조공정에 더블 스택 기술을 접목함에 따라 앞으로200단 이상으로 전환을 가속화할 것"이라고 밝혔다.
'최초'에 사활을 걸고 있는 마이크론도 삼성과 비슷한 시기에200단 낸드플래시를 양산할 가능성이 높다.
SK하이닉스도200단 이상의 낸드플래시 양산을 준비 중이다.SK하이닉스도 연말이나 내년 초에 이를 선보일 수 있다는 관측이 나오고 있다.
업계 관계자는 "고화질 영상이 대중화되면서 데이터 크기도 중요해졌고 이를 처리하는 데이터 저장 매체의 용량도 확대돼야 하는 상황"이라며 "낸드의 경우 적층 기술이 고도화될수록 다양한 제품을 만들 수 있기 때문에 적층 경쟁은 더욱 치열해 질 것"이라고 말했다.
